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摻鎵氧化鋅透明導電膜在高亮度LED芯片中的應用

導讀： 廣東半導體照明工程省部產學研創(chuàng)新聯(lián)盟理事長、中山大學佛山研究院院長王鋼教授作了題為《摻鎵氧化鋅（GZO）透明導電膜在高亮度LED芯片中的應用》的報告...... 關鍵字： LED芯片 摻鎵氧化鋅

2010年10月15日下午，在第七屆中國國際半導體照明展覽會暨論壇上，廣東半導體照明工程省部產學研創(chuàng)新聯(lián)盟理事長、中山大學佛山研究院院長王鋼教授作了題為《摻鎵氧化鋅（GZO）透明導電膜在高亮度LED芯片中的應用》的報告。
　　王鋼教授認為氧化鋅（ZnO）作為新型的透明電極材料有許多優(yōu)點：ZnO透過率可到95%，p型歐姆接觸可達10-3，與ITO相當；但是其化學穩(wěn)定性比ITO好，熱導率高；ZnO晶體質量高，制作可再現(xiàn)性好。此外，還可以通過摻雜Al、In等來改善其導電特性和透過率。
　　王鋼教授指出可以利用MOCVD生長技術生長單晶納米柱狀結構ZnO透明導電薄膜（GZO）材料，而且他通過各種外延材料及芯片實驗證明，摻鎵氧化鋅（GZO）透明導電膜有其非常獨特的優(yōu)勢：
　　1、Ga:ZnO對可見光高度透明，源于C軸方向上的高度結晶及高的化學計量，減少了光的吸收和傳輸時的散射；
　　2、芯片之正向電壓高于Ni/Au0.24V，源于外延片表面未加隧道層；
　　3、芯片之Iv的提高，源于GaN:Ga:ZnO界面形成時增加了P-GaN表面的空穴濃度、高透明度、低電阻率和自組織化圓冠狀的表面層。